Dala effektli tranzistor

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) telefon aksessuarlarini ishlab chiqarish va sotishga ixtisoslashgan yuqori texnologiyali korxona. Bizning asosiy mahsulotlarimiz sayohat zaryadlovchi qurilmalari, avtomobil zaryadlovchilari, USB kabellari, quvvat banklari va boshqa raqamli mahsulotlarni o'z ichiga oladi. Barcha mahsulotlar xavfsiz va ishonchli, noyob uslublar bilan. Mahsulotlar Idoralar, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick va boshqalar kabi sertifikatlardan o'tadi. , Agar sizni qiziqtirsa, ceo@schitec.com bilan bevosita bogʻlanishingiz mumkin. 

SCitec bilan xavfsiz zaryadlashda davom eting

Dala effektli tranzistor

"Dala effekti" ning ma'nosi shundaki, bu tranzistorning ishlash printsipi yarimo'tkazgichning elektr maydon ta'siriga asoslangan.

Dala effektli tranzistor Dala effekti printsipi asosida ishlaydigan tranzistor. Dala effektli tranzistorlar o'z navbatida ikkita asosiy turni o'z ichiga oladi: Junction FETs (JFETs) va Metal-oxide Semiconductor FETs (MOS-FETs). BJT dan farqli o'laroq, FETlar faqat bitta turdagi tashuvchilar (ko'pchilik tashuvchilar) tomonidan elektr o'tkazuvchanligiga ega va shuning uchun unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. U kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo'tkazgichli qurilmaga tegishli va yuqori kirish qarshiligi, past shovqin, kam quvvat iste'moli, katta dinamik diapazon, oson integratsiya, ikkilamchi buzilish va keng xavfsiz ish maydoni afzalliklariga ega.

Maydon effekti yarimo'tkazgichning o'tkazuvchan qatlamidagi (kanal) ko'pchilik tashuvchilarning zichligini yoki turini nazorat qilish uchun yarimo'tkazgich yuzasiga perpendikulyar qo'llaniladigan elektr maydonining yo'nalishini yoki kattaligini o'zgartirishdan iborat. Bu yarimo'tkazgichdagi ko'pchilik tashuvchilar tomonidan ish oqimi tashiladigan kanaldagi kuchlanish bilan modulyatsiyalangan oqim. O'tkazuvchanlikda faqat bitta turdagi qutbli tashuvchi ishtirok etadigan bunday tranzistor ham bir qutbli tranzistor deb ataladi. Bipolyar tranzistorlar bilan solishtirganda, dala effektli tranzistorlar yuqori kirish empedansi, past shovqin, yuqori chegara chastotasi, kam quvvat iste'moli, oddiy ishlab chiqarish jarayoni va yaxshi harorat xususiyatlariga ega. Ular turli kuchaytirgich davrlarida, raqamli sxemalarda va mikroto'lqinli davrlarda keng qo'llaniladi. Kutmoq. Kremniy asosidagi metall 0-oksidli yarimo'tkazgichli maydon effektli tranzistorlar (MOSFETs) va galyum arsenidiga asoslangan Schottky to'siqli maydon effektli tranzistorlari (MESFETs) ikkita eng muhim dala effektli tranzistorlardir. Ular MOS LSI va MES ultra yuqori tezlikdagi integral mikrosxemalarning asosiy qurilmalari hisoblanadi.