Rektifer diodining umumiy parametrlari

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) telefon aksessuarlarini ishlab chiqarish va sotishga ixtisoslashgan yuqori texnologiyali korxona. Bizning asosiy mahsulotlarimiz sayohat zaryadlovchi qurilmalari, avtomobil zaryadlovchilari, USB kabellari, quvvat banklari va boshqa raqamli mahsulotlarni o'z ichiga oladi. Barcha mahsulotlar xavfsiz va ishonchli, noyob uslublar bilan. Mahsulotlar Idoralar, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick va boshqalar kabi sertifikatlardan o'tadi. , Agar sizni qiziqtirsa, ceo@schitec.com bilan bevosita bogʻlanishingiz mumkin.

SChitec bilan xavfsiz zaryadlashda davom eting

Rektifer diodining umumiy parametrlari

(1) Maksimal o'rtacha to'g'rilangan oqim IF: uzoq muddatli ishlash uchun diod orqali o'tishi mumkin bo'lgan maksimal to'g'ridan-to'g'ri o'rtacha oqimga ishora qiladi. Ushbu oqim PN birikmasining birlashma maydoni va issiqlik tarqalish sharoitlari bilan belgilanadi. Foydalanishda, iltimos, diod orqali o'rtacha oqim bu qiymatdan katta bo'lmasligi va issiqlik tarqalish shartlariga rioya qilishiga e'tibor bering. Misol uchun, 1N4000 seriyali diodasi 1A IF ga ega.

(2) VR eng yuqori teskari ish kuchlanishi: diyot bo'ylab qo'llanilishi mumkin bo'lgan maksimal teskari kuchlanishni bildiradi. Agar u bu qiymatdan katta bo'lsa, teskari oqim (IR) keskin ortadi va diodning bir tomonlama o'tkazuvchanligi buziladi, bu esa teskari buzilishni keltirib chiqaradi. Odatda teskari buzilish kuchlanishining yarmi (VB) (VR) sifatida qabul qilinadi. Masalan, 1N4001 VR 50V, 1N{5}}n4006 mos ravishda 100V, 200V, 400V, 600V va 800V va 1N4007 VR 1000V.

(3) Maksimal teskari oqim IQ: Bu diodaning eng yuqori teskari ish kuchlanishida oqishiga ruxsat berilgan teskari oqim. Ushbu parametr diodaning bir tomonlama o'tkazuvchanligini aks ettiradi. Shuning uchun, joriy qiymat qanchalik kichik bo'lsa, diod sifati shunchalik yaxshi bo'ladi.

(4) Buzilish kuchlanishi VB: diodning teskari volt-amper xarakteristikasi egri chizig'i keskin egilgan kuchlanish qiymatiga ishora qiladi. Teskari yumshoq xarakteristikasi bo'lsa, u teskari qochqin oqimi holatini hisobga olgan holda kuchlanish qiymatiga ishora qiladi.

(5) Maksimal ish chastotasi fm: Oddiy sharoitlarda diodaning eng yuqori ish chastotasi. U asosan birlashma sig'imi va PN birikmasining diffuziya sig'imi bilan belgilanadi. Agar ish chastotasi fm dan oshsa, diodaning bir tomonlama o'tkazuvchanlik ko'rsatkichlari yaxshi aks etmaydi. Misol uchun, 1m4000 seriyali dioda 3 kHz fm ga ega. Boshqa tez tiklanadigan diod yuqori chastotali AC quvvatini to'g'rilash uchun ishlatiladi, masalan, quvvat manbalarini almashtirishda.

(6) Teskari tiklanish vaqti trr: belgilangan yuk, to'g'ridan-to'g'ri oqim va maksimal teskari vaqtinchalik kuchlanish ostida teskari tiklanish vaqtini bildiradi.

(7) Nolinchi kondansatör CO: diyotdagi kuchlanish nolga teng bo'lganda, diffuziya kondensatori va birlashma kondansatörü sig'imlarining yig'indisiga ishora qiladi. Shunisi e'tiborga loyiqki, ishlab chiqarish jarayonining cheklovlari tufayli hatto bir xil turdagi diodalar ham katta parametr dispersiyasiga ega. Qo'llanmada berilgan parametrlar ko'pincha diapazondir. Sinov shartlari o'zgarsa, tegishli parametrlar ham o'zgaradi. Masalan, 1N5200 seriyali silikon plastmassa muhrlangan rektifikator diodining IR 25 gradusda va 100 gradusda 10uA dan kam. IQ 500 uA dan kam bo'ladi.